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Beschichtungsanlage zum reaktiven Hohlkatoden-Gasflusssputtern (GFS)

Lupe [1]

Die Anlage arbeitet im Druckbereich von etwa 0.1 bis 10 mbar und ermöglicht die Herstellung dünner Schichten auf der Basis der Physikalischen Gasphasen Abscheidung (PVD) durch Gasflusssputtern von Rohrtargets in Kombination mit der Chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) über gasförmige Prekursoren. Auf einer Fläche von 50 x 50 mm2 lassen sich keramische Schichten wie auch Metalle für Anwendungen in der Photovoltaik homogen abscheiden. Die maximale Substratgröße beträgt 100 x 100 mm2, wobei die Substrate bis zu einer Temperatur von 500 °C aufgeheizt werden können. Für die Erzeugung der Hohlkatoden-Plasmaentladung und ggf. auch für die Substratbias-unterstützte Abscheidung kommen Puls-Plasma-Generatoren zum Einsatz. Auf der rechten Seite der Abbildung sind verschiedene Plasma-Zuständet der GFS-Sputterquelle gezeigt.

Labor II.

Lupe [2]

Probe

Lupe [3]
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